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日本开发6G芯片 单载波速度高达100Gbps

放大字体  缩小字体发布日期:2020-01-01 13:32  浏览次数:19
摘 要:近日,日本NTT集团旗下的设备技术实验室成功研发出一款6G超高速芯片,采用磷化锢(InP)化合物,并在300GHz超高频段进行了无线传输
 近日,日本NTT集团旗下的设备技术实验室成功研发出一款6G超高速芯片,采用磷化锢(InP)化合物,并在300GHz超高频段进行了无线传输实验,使用16QAM调制时,获得了100Gbps的超高速度,相当于10万兆有线网络。
 
  5G才刚刚开始商用,6G早已经启动,不少国家、机构、企业都开始了6G的预研工作。
 
 
  更令人惊叹的是,这一高速只使用了一个载波,如果再辅以多载波聚合,以及MIMO、OAM等空间复用技术,或者未来研发出新的相关技术,组合之下速度更是不可限量,预计至少能达到400Gpbs,也就是如今5G速度的至少40倍。
  当然了,28GHz毫米波就面临传输距离、损耗的严峻考验,300GHz超高频需要克服的困难必然更多,而且注定只适合短距离高速传输。
 
  在此之前,美国加州大学Irvine分校的NCIC实验室也开发了一款超越5G的收发器芯片,55nm SiGe BiCMOS工艺制造,面积2.5×3.5毫米,工作在115-135GHz频段,成功实现了36Gbps的无线传输速度,但距离只有30厘米。
 
  至于6G到底会是什么样子,谁都没数,目前所做的都是探索各种可能性。
 
 
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