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芯片的未来:智能宣布成功制造新的集成硅III-V芯片的方法

放大字体  缩小字体发布日期:2019-10-01 08:15  浏览次数:51
摘 要:新加坡麻省理工学院的研究与技术联盟(SMART),麻省理工学院在新加坡的研究企业,宣布成功开发了一种商业化可行的方法来制造集
 新加坡麻省理工学院的研究与技术联盟(SMART),麻省理工学院在新加坡的研究企业,宣布成功开发了一种商业化可行的方法来制造集成了III-V器件的集成硅III-V芯片,并将其插入到其设计中。
 
在当今的大多数设备中,基于硅的CMOS芯片被用于计算,但是它们对于照明和通信效率不高,导致低效率和发热。这就是为什么目前市面上的5G移动设备在使用时非常热,短时间内就会关闭的原因。
 
这就是iii-v半导体的价值所在。III-V芯片由元素周期表第3列和第5列的元素制成,如氮化镓(GaN)和砷化铟(InGaAs)。由于其独特的性能,它们非常适合光电子学(LED)和通信(5G等)-大大提高效率。
 
“通过将III-V集成到硅中,我们可以基于现有的制造能力和低成本的硅生产技术,包括III-V技术独特的光学和电子功能,”新加坡麻省理工学院的研究企业的首席执行官兼导演Eugene Fitzgerald说。新芯片将成为未来产品(http://www.shimaoba.com/sell/)创新的核心,并为下一代通信设备、可穿戴设备和显示器提供动力。”
 
李斯研究员审查200毫米硅III-V晶片。Les的创新和商业准备过程利用现有的200毫米半导体制造基础设施来创造新一代的芯片,将传统的硅与III-V设备结合起来,在商业化之前没有商业可行性。
 
Smart Lees研究计划的高级科学主管Kenneth Lee补充道:“然而,以商业化的方式将III-V半导体器件与硅集成是半导体工业所面临的最困难的挑战之一,尽管这样的集成电路已经被期望几十年。目前的方法既昂贵又低效,这就延迟了工业所需芯片的可用性。利用我们的新工艺,我们可以利用现有的能力,有效地制造这些新的集成硅III-V芯片,并加速开发和采用将为经济提供动力的新技术。
 
 
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